慧荣总经理苟嘉章指出，AI 推理需求爆发致全球存储器结构性缺货，预估 2026 年 DRAM 与 NAND Flash 全年短缺。

　　微软、谷歌等云端厂商入局 AI 推理，推高 HBM 需求。供应商转产 HBM 挤压传统 DDR4 产能，使其供不应求。他还预估，2026 年 DRAM 全年缺货，2027 年或因三星、SK 海力士、美光新厂投产缓解。

　　慧荣总经理苟嘉章指出：“AI 推理需求爆发带动全球存储器结构性缺货，2026 年 DRAM 与 NAND Flash 将全年短缺。” 他解释，微软、谷歌等云端厂商投入 AI 推理，推高 HBM 需求，供应商转产 HBM 挤压 DDR4 产能，致其供不应求。

　　11 月 3 日，据台媒报道，存储控制芯片厂商慧荣科技总经理苟嘉章近日在“ 慧荣家庭日，采访中，他进一步表示：“缺货根源是 AI 推理需求爆发，2026 年短缺持续，2027 年难预测，转折点看重复下单何时发酵。业界共识 2026 年必缺货，没人敢预测 2027 年。”

　　谈及短缺特殊性，苟嘉章强调：“与过往单一因素不同，此次 HBM、NAND Flash、HDD 同时紧缺，形成‘拉扯性’需求，HBM 缺货量极大。DRAM 缺口大，苹果争 2026 年产能仍难满额，市场‘有货就好’，价格谈判停摆。”

　　针对 NAND Flash 涨价，他分析：“需求增长但原厂扩产谨慎，怕重现 2022-2023 年惨况。” 同时提到：“2026 年 AI 推理资本支出将超训练，因其对存储需求庞大，市场缺口达两倍。”

　　关于 HBM，苟嘉章称：“需求极高，英伟达、AMD 等大厂及中国大陆需求均涨，DRAM 厂转产 DDR5 与 HBM 致产能紧。HBM 产需三倍 DDR5 晶圆，DDR5 也缺货涨价。” 他补充：“扩先进 DDR 产能耗资大、耗时长，月增 1 万片晶圆需 100 亿美元，产能难快速提升。” 但也认为：“DRAM 价不会一直涨，过高价会抑制需求，转折看供需。”

　　针对消费类 NAND，苟嘉章提到：“手机存储升级推高需求，2026 年手机位元增长或 35%，美光等厂商频繁涨价，但原厂扩产谨慎。非洲、东南亚手机存储已从 128GB 退回 64GB。”

　　他还强调：“全球 95% 数据靠 HDD，厂商转‘依订单生产’，高容量 HDD 交期超一年，扩产克制。中国大陆突增高容量 HDD 需求，加剧短缺。HDD 供应链集中，组件商不扩产，厂商营收靠涨价。”

　　最后，苟嘉章总结：“当前议价焦点转至供应能力，DRAM、NAND 厂需平衡数据中心与手机、汽车需求，否则恐致产业链崩溃。此次短缺是结构限制与强需求叠加，考验厂商智慧与责任。”

　　当前全球存储芯片陷入结构性缺货，根源是 AI 推理需求爆发。与以往单一因素或减产导致的短缺不同，此次 HBM、NAND Flash、HDD 三大核心存储元件同时紧缺，形成 “拉扯性” 需求，市场缺口达需求量两倍。

　　微软、谷歌、Meta 等云端厂商及 AMD、英伟达等，加上中国大陆市场，均大幅增加 HBM 需求，而 DRAM 大厂将产能转向 HBM 和 DDR5，挤压传统 DDR4 产能，且 HBM 生产需三倍 DDR5 晶圆，先进 DDR 产能扩建耗资大、耗时长（月增 1 万片晶圆需 100 亿美元，设备交期长），进一步加剧短缺。

　　DRAM：2026 年将全年缺货，苹果等大厂争抢 2026 年产能，市场进入 “有货就好” 阶段，价格谈判停摆；2027 年或因三星、SK 海力士等新厂投产缓解，但重复下单情况或影响转折，甚至有观点认为转折在 2028-2029 年。

　　NAND Flash：需求增长叠加原厂扩产谨慎（避免 2022-2023 年惨况），价格飙涨，美光等厂商每周或每两周调价且持续上扬。消费端因手机存储升级（iPhone 17 Pro Max 取消 128GB），2026 年手机存储位元增长率预计 35%，但非洲、东南亚手机存储已从 128GB 退回 64GB。

　　HDD：全球 95% 数据仍依赖 HDD，厂商转为 “依订单生产”，要求多年合约，高容量 HDD 交期超一年。供应链集中，关键组件商不扩产，厂商营收增长靠涨价，且 SSD 未来十年难完全取代 HDD，因 NAND 产能不足。

　　价格：DRAM 价格不会持续暴涨，过高价格会抑制需求，厂商会避免此情况，但转折需看供需；NAND Flash 价格持续上扬，HDD 价格因缺货上涨。

　　产能：DRAM 先进产能扩建难，NAND 原厂扩产谨慎，HDD 厂商仅年增 5% 资本支出，依赖技术提升密度。厂商需平衡数据中心与手机、汽车等领域的资源分配，避免产业链崩溃。返回搜狐，查看更多